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企業(yè)新聞
2026.03.02
新聲舉行五周年慶祝活動(dòng) 七城同慶溫暖相聚
為迎接3月1日新聲半導(dǎo)體成立五周年紀(jì)念日，北京、上海、深圳、蘇州、重慶、西安、無錫七地辦公室分別于2月28日舉行了簡(jiǎn)潔而溫馨的冷餐會(huì)慶祝活動(dòng)。熟悉的會(huì)議室被簡(jiǎn)單布置成溫暖的分享空間，同事們?cè)谳p松的氛圍中舉杯相聚，為公司送上最真誠(chéng)的祝福。
活動(dòng)現(xiàn)場(chǎng)氣氛溫暖而真誠(chéng)。新聲員工們舉杯相互致意，圍坐交流工作中的點(diǎn)滴感受，在忙碌間隙留下合影。日常的辦公室在這一天多了一份柔和與從容。當(dāng)笑容與掌聲交織在一起
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企業(yè)新聞
2025.10.23
解構(gòu)TC-SAW：高端濾波器的絕對(duì)主流（一）：TC-SAW為什么比Normal-SAW性能好？
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2025.10.23
解構(gòu)TC-SAW：高端濾波器的絕對(duì)主流（二）：TC-SAW的核心IP是什么？
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2025.10.15
新聲半導(dǎo)體多款濾波器通過AEC-Q200車規(guī)認(rèn)證
新聲半導(dǎo)體成為國(guó)內(nèi)首家通過車規(guī)級(jí)測(cè)試認(rèn)證的濾波器企業(yè)
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2025.04.17
IC-MAM 2024首發(fā)——新聲半導(dǎo)體發(fā)布首款絕緣體上BAW濾波器，突破5G射頻性能邊界
2024年5月13-15日，在中國(guó)成都召開的2024微波聲學(xué)與力學(xué)國(guó)際會(huì)議（IC-MAM）上，新聲半導(dǎo)體發(fā)布了標(biāo)題為《Wide-band and High-rejection RF Filters for 5G Applications Using BAW-on-insulator Technology》（基于絕緣體上BAW技術(shù)的5G寬帶高抑制射頻濾波器）的成果，并做口述報(bào)告。
論文
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2025.04.17
IEEE IUS 2024發(fā)布優(yōu)化釋放孔間隙設(shè)計(jì)，新聲半導(dǎo)體突破DBAW濾波器ESD防護(hù)難題
（中國(guó)·臺(tái)北，2024年9月22日-26日）新聲半導(dǎo)體在IEEE IUS 2024上發(fā)布了標(biāo)題為《Improving ESD Robustness in DBAW Filters via Optimized Release Hole Clearance Design》的突破性研究成果，并做口述報(bào)告。
該研究展示了新聲半導(dǎo)體技術(shù)團(tuán)隊(duì)通過創(chuàng)新性的釋放孔間隙優(yōu)化設(shè)
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2025.04.17
重磅：新聲半導(dǎo)體IEEE IUS 2024發(fā)布革命性玻璃晶圓封裝方案，破解濾波器"性能-成本"悖論
2024年9月22-26日，在中國(guó)臺(tái)北舉行的IEEE IUS 2024國(guó)際會(huì)議上，新聲半導(dǎo)體發(fā)布了標(biāo)題為《Innovative Glass-Encapsulation for Double-Side Processed BAW Filters》的論文，并做口述報(bào)告。
該研究是新聲半導(dǎo)體玻璃封裝雙面鍵合體聲波（D-BAW）濾波器技術(shù)首次亮相，成功以玻璃封裝替代了傳統(tǒng)高成本的
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2025.04.17
IEEE IUS 2024重磅發(fā)布：創(chuàng)新結(jié)構(gòu)使濾波器插入損耗降低1dB，Q值顯著提升
（中國(guó)·臺(tái)北，2024年9月22日-26日），新聲半導(dǎo)體研發(fā)團(tuán)隊(duì)在IEEE IUS 2024發(fā)布了題為 《Impact of a Trap-Rich Layer on the Performance of D-BAW Resonators》突破性研究成果，并做口述報(bào)告。
論文首次揭示了“陷阱富集層”對(duì)載流子泄漏現(xiàn)象的顯著抑制作用。該特
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2025.04.17
新聲半導(dǎo)體突破性成果亮相IEEE IUS 2024國(guó)際會(huì)議：諧振器厚度補(bǔ)償技術(shù)顯著提升D-BAW晶圓均勻性與良率
2024年9月22-26日，在中國(guó)臺(tái)北舉行的IEEE IUS 2024國(guó)際會(huì)議上，新聲半導(dǎo)體研發(fā)團(tuán)隊(duì)發(fā)布了題為 《D-Baw Uniformity Improvement by Resonator Thickness Compensation》 的重要研究成果，并做口述報(bào)告。
該研究通過創(chuàng)新的工藝流程，實(shí)現(xiàn)了對(duì)D-BAW（雙面鍵合體聲波技術(shù)）諧振器厚度的金屬電極厚度的創(chuàng)新性調(diào)控，在不影響
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