新聲半導體攜D-BAW雙面鍵合工藝亮相IMFW 2026

2026年2月7-9日，2026年國際微波濾波器會議（IMFW 2026）在中國香港順利舉辦，作為射頻前端領域的創新領軍企業，新聲半導體（NEWSONIC）受邀參展，公司CTO馮端博士亦受邀出席并發表演講。

IMFW由IEEE微波理論與技術協會（MTT-S）主辦，是全球微波濾波器領域連接工業實踐與學術前瞻的重要紐帶。本屆會議首次在亞洲舉行，重點關注移動通信向5G-Advanced及6G演進過程中，射頻器件面臨的頻率提升、帶寬擴展及高度集成化等關鍵挑戰。

本次會議的聲學波諧振器（AWR）工業分論壇上，新聲半導體CTO馮端博士發表題為《基于雙面工藝技術的5G/6G應用射頻濾波器》的演講中，他重點介紹了新聲半導體自主研發的D-BAW^®“雙面工藝技術”。通過對BAW濾波器底層制造流程的系統性重構，來有效解決傳統方案在應對高頻段、大帶寬需求時的性能損耗難題，顯著提升器件的品質因數與熱穩定性。

此外，馮端博士還分享了新聲半導體基于有機鍵合（Oragnic Bonding）和玻璃基板的創新型封裝方案，從而實現成本優化和性能提升。基于這一系列，新聲半導體展示了其在5G-Advanced及未來6G應用場景下，兼具卓越性能與高度集成優勢的射頻前端解決方案。

此次亮相IMFW 2026，既彰顯了新聲半導體在射頻前端領域的創新實力與技術積淀，也體現了沖擊全球高端射頻市場的堅定決心。未來，新聲半導體將繼續深耕底層工藝創新，攜手產業鏈合作伙伴，共同推動全球通信技術的持續進化。

關于新聲半導體 (NEWSONIC)

新聲半導體總部位于中國深圳，是一家專注于先進聲學濾波器及射頻前端模塊（FEM）設計與制造的全球性創新企業。該公司專精于涵蓋 BAW、SAW、TC-SAW、TF-SAW 及 IPD 等多項核心技術，為全球客戶提供超過 100 種濾波器產品及集成解決方案，其中包括 DiFEM和L-PAMID等模組產品。